碳化硅样品
2023-03-04T11:03:12+00:00
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料： 2022年1月19日 碳化硅是功率器件材料端的技术演进 随着终端应用电子架构复杂程度提升， 硅基器件物理极限无法满足部分高压、高温、高频及低功耗的应用要求，具备热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高 一文看懂碳化硅行业 知乎2023年4月17日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求，主要被用于制 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网样品要求 主要执行标准 / 方法 纤维物理性能 碳纤维、碳化硅纤维、氧化铝纤维等无机纤维的密度和线密度、上浆剂含量、直径与横截面积 上浆剂含量：样品不少于 2g 密度和线密 中国科学院上海硅酸盐研究所无机材料力学性能表征课题组 2023年10月19日 尽管三星的第三代半导体代工业务预计将于 2025 年启动，但目前仍处于研究和样品阶段，现在需要大量投资设备以支持未来的量产工作。 根据 TrendForce 的 25 年资深专家带队，三星已布局推进碳化硅功率半导体业务
碳化硅中游离碳的分析
碳化硅（SiC）因其耐热性和硬度而被用作磨料和耐火材料。 由于在生产过程中含有游离碳，会对烧结产品的强度等产生不利影响，有必要对游离碳含量进行定量检测。 使用氢氟 AI芯天下 20:30:00 发布于 广东 + 关注 2025年全球碳化硅器件市场需求达百亿，中电科55所碳化硅芯片样品流片 近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件 芯报丨2025年全球碳化硅器件市场需求达百亿，中电科55所 2023年4月3日 a、碳化硅对顶砧和浅层硅空位色心探测磁性样品示意图；b、硅空位色心零场劈裂随压力的变化关系；c、钕铁硼材料的磁性相变探测；d、钇钡铜氧超导材料的T c 中国科大等实现基于碳化硅中硅空位色心的高压原位磁探测 2023年7月7日 其中Wolfspeed是全球最大的SiC衬底生产商。该公司于2015年展示了8英寸碳化硅衬底，并于2019年制备出了首批8英寸碳化硅衬底样品。2022年4月，Wolfspeed启用了莫霍克谷晶圆厂，这是全球个也是最大的、唯一的8英寸（200毫米）碳化硅晶圆厂。进击8英寸碳化硅，国产替代空间几何？ 知乎2022年1月7日 辊道窑上的反应烧结碳化硅陶瓷辊 工艺简介： 采用一定颗粒级配的碳化硅（一般为1~10μm）与碳混和后成形素坯，然后在高温下进行渗硅反应，部分硅与碳反应生成SiC与原来坯体中的SiC结合，达到烧结 碳化硅陶瓷，SSiC\SiSiC\RBSiC\RSiC你分得清吗？
高导热3C、4H和6H碳化硅晶圆热导率测试方法选择
2022年1月28日 五、结论 通过上述对闪光法、热反射法和热波法的介绍和分析，可以得出以下结论： （1）对于3C、4H和6H碳化硅的高热导率测试，比较合适的方法是热波法或稳态法，但在具体使用中需要特别注意热 2023年2月10日 就当下而言，国际企业对于8英寸碳化硅 衬底的量产已提上日程，属于“领先者”的角色。Wolfspeed是当之无愧的梯队成员。2015年Wolfspeed展示了8英寸碳化硅衬底、2019年完成了首批8英寸碳化硅衬底样品的制样。产能方面，2022年4月，Wolfspeed启 八英寸碳化硅衬底企业进度一览 知乎2023年4月18日 图2 碳化硅样品 背金去除 背金去除激光加工工艺一般使用纳秒或皮秒紫外激光器作为光源，配以合适的聚焦切割头和精密的电机运动平台以准直的方式进行加工，一般去除的背金厚度在10μm以下，去除宽度不小于正面沟道的一半。将碳化硅晶圆片 激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用加工材料芯片2021年5月12日 一：公司是否需要安排退税以及我们是否能够收到客户这个报关费用； 二：客户需要样品的时间是否很急迫，如果急迫的话建议就不要安排一般贸易出口报关，这样会耽误一定的时效。 我们给客户寄样品无外乎是为了能让客户喜欢我们的货物，并且客户也不 样品出口我们要不要安排报关？ 知乎2022年2月27日 下面一张表格将告诉你金相实验室所需全部碳化硅金相砂纸型号。 以上两张表格将美国进口碳化硅金相砂纸型号全部列出，无论你需要直径3in、8in、10in还是12in的，也无论你需要带背胶还是不带背胶的，从最粗P60（260μm）到最细P4000（5μm）都有了，适合于各种金相样品制备目的要求。碳化硅金相砂纸型号，粗、细都有了，想找的别错过了！ 知乎
走向应用 上海硅酸盐研究所探索碳化硅陶瓷制备新方法 知乎
2022年6月30日 走向应用 上海硅酸盐研究所探索碳化硅陶瓷制备新方法 近日，中国科学院上海硅酸盐研究所陈健副研究员首次提出高温熔融沉积结合反应烧结制备SiC陶瓷新方法。 成功制备出力学性能接近于传统方法制备反应烧结的SiC陶瓷。 相关研究成果发表在 2022年1月5日 闻泰科技：650V氮化镓（GaN）技术已经通过车规级测试，碳化硅产品批晶圆和样品已交付，有望在2021年底到2022 年开始量产 士兰微：已经建成了6 碳化硅/氮化镓新赛道已经开启 哪些标的值得关注？氮化镓 2022年6月15日 我国为碳化硅主要出口国家之一，2021年中国碳化硅的出口数量为吨，较2020年增加了吨，同比增涨7699%。2021年中国碳化硅出口主要地区有：美国、日本、韩国、荷兰、印度、中国台湾和墨西哥等地区。碳化硅出口报关如何操作？碳化硅出口报关操作以及出口许可证办理方法分享 知乎2023年10月13日 提供碳化硅分类下的所有标准, 国家标准查询，国家强制性标准免费下载 EN RU ES 碳化硅 本专题涉及碳化硅的标准有324条。 国际标准分类中，碳化硅涉及到切削工具、陶瓷、半导体材料、能源和热传导工程综合、耐火材料、牙科、厨房设备、复合增强材料、化工设备、导体材料、热力学和温度测量 碳化硅标准分析测试百科网2021年3月13日 历史上人类次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。 在经历了百年的探索之后，特别是进入21世纪以后，人类终于理清了碳 碳化硅(SiC)的前世今生！ 知乎
等离子放电烧结法制备碳化硅陶瓷 豆丁网
2012年11月8日 这说明使用SPS烧结碳化硅大大降低了初始烧结温度，并显著缩短了烧结时间。另外，SiC＋I％AI的样品较纯碳化硅样品烧结温度更低，收缩速度更大。显然铝的加入降低了碳化硅的烧结温度，且加快烧结速度，缩短了致密化时间。2022年9月2日 基于前期芯片及模块的动静态测试结果，本项目组进行了芯片设计与集成及模块封装方面的优化，在本项目组 6寸碳化硅器件生产线上重新制备了 65kV/25A SiC MOSFET 芯片和 65kV/25A SiC SBD 器件样品，并根据项目需求设计并封装了击穿电压可达 6500V SiC MOSFET 模块测试与分析 知乎2023年4月17日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎2022年4月24日 常压烧结（Pressureless Sintering，PS）碳化硅在不施加外部压力的情况下，即通常在 1 01 × 10 5 Pa 压力和惰性气氛条件下，通过添加合适的烧结助剂，在 2 000 ～ 2 150 ℃ 间，可对不同形状和尺寸的样品进行致密化烧结。碳化硅的常压烧结可分固相烧 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
一种碳化硅外延材料质量评估新技术 西安电子科技大学
2011年5月24日 一种碳化硅 外延材料质量评估新技术 马格林，张玉明，张义门, 马仲发 ( 西安电子科技大学 微电子学院，陕西 西安 710 071 时间长、易造成样品 损伤，而且不能进行在线检测，使外延材料质量无法有效控制，器件成本高。因此急 2022年8月25日 3D打印碳化硅陶瓷样品（样品来源：升华三维） 卫星反射镜：将热加工过程转移到烧结步骤以更好地进行热应力管理，在实现同样的光学口径和精度要求时，3D打印的碳化硅轻质反射镜可实现大尺寸一体 挺立潮头之上，引领碳化硅陶瓷3D打印智造 知乎2021年11月2日 碳化硅晶须的直径约为10微米。 一般来说，碳化硅在1650的抗氧化性是很不错的。 但是，抗氧化性也和开口的孔隙率和粒度有很大的关系，因为表面积越大，氧化速率才会越好。 孔隙率是另一个重要的物理性质，它偶尔与密度一起报告，用于表示没有被固 碳化硅有什么特点呢？来看看 知乎2022年6月30日 2022年，中国科学院上海硅酸盐研究所陈健副研究员首次提出高温熔融沉积结合反应烧结制备SiC陶瓷新方法。 成功制备出力学性能接近于传统方法制备反应烧结的SiC陶瓷。 相关研究成果发表在 硅酸盐研究所探索碳化硅陶瓷制备新方法 知乎2022年3月2日 样品的脱脂收缩率较低,小于 5% ,特别是增材方向仅为 0 88% 。 反应熔渗后样品致密度良好,体积密度为 2 79 g/cm³,抗弯强度为 183 99 MPa。(3)立体光固化成型后样品中光敏树脂与碳化硅颗粒结合情况良好,断口处可见清晰的层间界限。立体光固化 3D 打印成型碳化硅陶瓷的烧结特性 CERADIR
本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 知乎专栏
2021年10月15日 中电国基南方于2014年研制出6004500V SiC SBD和SiC JFET样品（3英寸碳化硅晶圆），2016年发布G1 6001700V SiC SBD产品，开发了SiC MOSFET关键工艺并研制出产品（4英寸碳化硅晶圆），2018年发布G3 SiC MPS二极管系列产品，并建立G1 SiC2019年4月22日 金相实验室最常用的研磨消耗品就是金相砂纸了，其中碳化硅金相砂纸最为常用，一般都是水砂纸，研磨时只需用水即可。 主要跟样品表面的粗糙度、平整度、是否有毛刺等表面状况有关。 金相砂纸的粗磨和精磨一般从粗到细选P80P2000经过46 不知道怎样合理选择金相砂纸的研磨方案？看这里就对了样品2020年7月20日 碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。 碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法 碳化硅的制备方法碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 ℃的温度下，碳化硅仍能保持其强度。 碳化硅相关产品 特点 结构 性能 特点 在高达1400℃的温度下，碳化硅甚至仍能保持其强度。 这种材料的明显特点在于导热 碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA2023年3月29日 专注炼钢铸造硅系产品 碳化硅粉：迄今为止，已经提出了通过将在常温下为液体的硅源 (具体地，硅酸乙酯)、在常温下为液体的碳源 (具体地，酚醛树脂)、和能够溶解碳源的催化剂 (具体地，马来酸)混合来制造高纯度的碳化硅粉体的方法。 具体地，碳化硅粉 碳化硅粉 知乎
《华林科纳半导体工艺》氢氟酸蚀刻后氧化碳化硅表面的化学
2021年12月1日 硅和碳化硅 表面之间的反应能量学的差异为理解不同的高频蚀刻表面产物提供了关 蚀刻后，在∼10内将样品转移到分析室(~107Torr)。放置在~180°处的环形固态探测器分别用于检测NRA和RBS中发射的核反应产物和后向散射离子。此外，对于NRA 2015年7月13日 4是所得碳化硅样品的XRD图谱。在衍射角 7177出现明显的衍射峰, 分析确定其分别为3CS iC 111)、3CSiC 200)、3CS iC 3CSiC 311)的衍射晶面, 因此可以确定 所合成的样品为M oissan ite6H syn晶型 iC晶体;图谱中衍射峰的相对强度较大、峰形的水溶性酚醛树脂为碳源制备碳化硅研究 豆丁网2021年3月10日 将SiC单晶样品放入混合液中，恒温加热30min； （2）DI水冲洗3min，将样品表面的混合液冲洗干净，N2吹干； （3）将30mlDI水倒入聚四氟乙烯容器中，然后加入10mlNH3OH和10mlH2O2，将样品放入混合液中，恒温加热20min； （4）DI水冲洗，N2吹干； （5）将30mlDI水倒入 SiC单晶的表面清洗样品2022年9月22日 为增加产能供给，也为进一步降低碳化硅器件的平均成本，扩大碳化硅衬底尺寸是重要途径之一。 为此，业界将目标锁定在8英寸碳化硅衬底上。 业界领头羊Wolfspeed（原名Cree）在2015年展示了8英寸碳化硅样品，2019年完成了首批8英寸碳化硅衬底样品的制样，并于今年开始量产8英寸衬底。徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅衬底制备技术领域取得 2020年6月22日 很多碳化硅生产企业对国家标准会有一些疑问，我们邀请到了白鸽磨料磨具有限公司标准化主管工程师、高级工程师陈德光先生来到我们的直播间，为大家讲解关于碳化硅国家标准的“那些事”。 《标准化法》诞生于1989年，在推行市场经济二十五年后 关于“碳化硅国家标准”的那些事，你了解多少？标准化
国家标准全文阅读标准检索
2023年8月6日 关键字： 碳化硅 × 特别声明 本系统对国家市场监督管理总局、国家标准委自2017年1月1日后新发布的国家标准，将在《国家标准批准发布公告》发布后20个工作日内公开标准文本，其中涉及采标的推荐性国家标准的公开，将在遵守国际版权政策 2022年7月3日 碳化硅陶瓷是一种具有高强度、高硬度、高热导率、高化学稳定性等优异性能的陶瓷材料，被广泛应用于航空航天、微电子、汽车工业、核工业等领域。近年来，汽车工业、航空航天等领域都对大尺寸、复杂结构的零部件有强烈的需求。 碳化硅陶瓷的广泛应用主流3D打印工艺制备SiC陶瓷的优缺点及国产方案带来的新 2023年6月26日 关注 全球与中国单晶碳化硅衬底行业发展状况分析及投资策略分析报告20232030年 1 单晶碳化硅衬底市场概述 11 单晶碳化硅衬底行业概述及统计范围 12 按照不同产品类型，单晶碳化硅衬底主要可以分为如下几个类别 121 不同产品类型单晶碳化硅衬 硅与碳化硅半导体掺杂工艺的差异？以及产生差异的物理特性 2023年6月29日 龚瑞骄预测，6英寸碳化硅衬底产能将从2022年的107万片增长到2026年的569万片。 同时，8英寸产品也在进入市场，目前市占率还不到2%，2026年的市场 碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、 国内产业链急追新浪财经 样品要求：粉体或块状固体（无腐蚀性、无爆炸性、无毒性） 热分析 质谱 红外联用 测试参数：材料受热过程中的质量变化及晶型转变等物化反应中的热效应，以及热分解温度及材料热分解过程中逸出气体的同时表征。热学性能中国科学院上海硅酸盐研究所 CAS
进击8英寸碳化硅，国产替代空间几何？ 知乎
2023年7月7日 其中Wolfspeed是全球最大的SiC衬底生产商。该公司于2015年展示了8英寸碳化硅衬底，并于2019年制备出了首批8英寸碳化硅衬底样品。2022年4月，Wolfspeed启用了莫霍克谷晶圆厂，这是全球个也是最大的、唯一的8英寸（200毫米）碳化硅晶圆厂。2022年1月7日 辊道窑上的反应烧结碳化硅陶瓷辊 工艺简介： 采用一定颗粒级配的碳化硅（一般为1~10μm）与碳混和后成形素坯，然后在高温下进行渗硅反应，部分硅与碳反应生成SiC与原来坯体中的SiC结合，达到烧结 碳化硅陶瓷，SSiC\SiSiC\RBSiC\RSiC你分得清吗？2022年1月28日 五、结论 通过上述对闪光法、热反射法和热波法的介绍和分析，可以得出以下结论： （1）对于3C、4H和6H碳化硅的高热导率测试，比较合适的方法是热波法或稳态法，但在具体使用中需要特别注意热 高导热3C、4H和6H碳化硅晶圆热导率测试方法选择2023年2月10日 就当下而言，国际企业对于8英寸碳化硅 衬底的量产已提上日程，属于“领先者”的角色。Wolfspeed是当之无愧的梯队成员。2015年Wolfspeed展示了8英寸碳化硅衬底、2019年完成了首批8英寸碳化硅衬底样品的制样。产能方面，2022年4月，Wolfspeed启 八英寸碳化硅衬底企业进度一览 知乎2023年4月18日 图2 碳化硅样品 背金去除 背金去除激光加工工艺一般使用纳秒或皮秒紫外激光器作为光源，配以合适的聚焦切割头和精密的电机运动平台以准直的方式进行加工，一般去除的背金厚度在10μm以下，去除宽度不小于正面沟道的一半。将碳化硅晶圆片 激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用加工材料芯片
样品出口我们要不要安排报关？ 知乎
2021年5月12日 一：公司是否需要安排退税以及我们是否能够收到客户这个报关费用； 二：客户需要样品的时间是否很急迫，如果急迫的话建议就不要安排一般贸易出口报关，这样会耽误一定的时效。 我们给客户寄样品无外乎是为了能让客户喜欢我们的货物，并且客户也不 2022年2月27日 下面一张表格将告诉你金相实验室所需全部碳化硅金相砂纸型号。 以上两张表格将美国进口碳化硅金相砂纸型号全部列出，无论你需要直径3in、8in、10in还是12in的，也无论你需要带背胶还是不带背胶的，从最粗P60（260μm）到最细P4000（5μm）都有了，适合于各种金相样品制备目的要求。碳化硅金相砂纸型号，粗、细都有了，想找的别错过了！ 知乎2022年6月30日 走向应用 上海硅酸盐研究所探索碳化硅陶瓷制备新方法 近日，中国科学院上海硅酸盐研究所陈健副研究员首次提出高温熔融沉积结合反应烧结制备SiC陶瓷新方法。 成功制备出力学性能接近于传统方法制备反应烧结的SiC陶瓷。 相关研究成果发表在 走向应用 上海硅酸盐研究所探索碳化硅陶瓷制备新方法 知乎2022年1月5日 闻泰科技：650V氮化镓（GaN）技术已经通过车规级测试，碳化硅产品批晶圆和样品已交付，有望在2021年底到2022 年开始量产 士兰微：已经建成了6 碳化硅/氮化镓新赛道已经开启 哪些标的值得关注？氮化镓 2022年6月15日 我国为碳化硅主要出口国家之一，2021年中国碳化硅的出口数量为吨，较2020年增加了吨，同比增涨7699%。2021年中国碳化硅出口主要地区有：美国、日本、韩国、荷兰、印度、中国台湾和墨西哥等地区。碳化硅出口报关如何操作？碳化硅出口报关操作以及出口许可证办理方法分享 知乎